doi: 10.21218/CPR.2021.9.4.137


화학기상증착된 이원계 화합물 프리커서를 이용한 Cu(In,Ga)Se2 흡수층의 제조

The Fabrication of the Cu(In,Ga)Se2 Absorber Layer Using Binary Precursor Films Deposited by Chemical Vapor Deposition

  • Lee,Gyeong A,
  • Kim,A Hyun,
  • Cho,Sung Wook,
  • Lee,Kang-Yong,
  • Jeon,Chan-Wook

이력 정보

2021.12.31 발행
2022.02.22 DOI 등록